Ingénieur caractérisation de composants RF hyperfréquence (H/F)

Rejoignez Thales, un leader mondial des hautes technologies, en tant qu'Ingénieur caractérisation de composants RF hyperfréquence. Vous serez basé à Palaiseau, France, et contribuerez à des projets innovants centrés sur les transistors à nitrure de gallium (GaN HEMT). Vos missions incluront la planification des campagnes de caractérisation, l'optimisation et l'automatisation des bancs de mesure, l'analyse et le rapport des résultats, ainsi que le maintien de l'environnement de travail. Vous devez avoir un diplôme d'ingénieur ou un master en électronique, avec au moins 3 ans d'expérience dans la mesure RF.

• Participer à la planification et à la réalisation de mesures électriques DC et RF sur des dispositifs GaN.
• Être en charge de l’amélioration des bancs de mesure hyperfréquence existants, notamment pour leur automatisation.
• Contribuer à l’analyse des données issues des campagnes de mesure et à la rédaction de rapports techniques.