DRAM电路设计工程师-DRAM Circuit Design Engineer at ChangXin

About The Role

存储架构评估与优化：评估并优化前沿技术中的存储架构与方法论，推动产品性能与效率提升；
全定制电路设计：设计存储产品中IP模块的全定制电路，确保电路性能与功耗目标达成；
功能与性能验证分析：对存储器的功能与性能进行仿真、验证与分析，确保设计满足规格要求；
版图设计与验证管控：监督版图设计与验证流程，包括floor-planning、布局布线及物理验证；
硅片调试支持：为产品工程团队提供硅片调试的技术支持，推动问题定位与解决。
教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子、集成电路或相关专业毕业，深入理解数字/模拟电路及CMOS器件物理；
专业技能与资格：能使用Spectre、finesim、Hspice、Virtuoso、Calibre等EDA工具完成电路设计与仿真，具备混合信号电路设计与验证经验，包括电路实现、时序分析与优化；
行业与专业经验：有存储器设计经验者优先，有DDR/LPDDR DRAM产品设计与验证经验者优先；
项目/任务成果：主导或深度参与过至少一款存储芯片的全定制电路设计，包括从架构评估到版图验证的完整流程；有ASIC设计背景（如RTL编码、STA等）者优先；
其他要求：具有良好的团队协作与沟通能力，学习能力强，能在灵活、动态的环境中保持自驱力。