About The Role

研究方向：
1、高速硅光电子低损耗无源器件、高带宽有源器件设计及结构开发；
2、12寸硅光电子工艺、材料及其对性能影响研究；
3、硅光电子器件设计规则、性能仿真、器件模型研究。
1.申请人年龄35周岁以下，可全职进行博士后研究；
2.有熟悉anysy，lumerical，HFSS等设计软件及版图绘制相关软件，有硅光设计及流片经验者优先
3.热爱本行业领域科学研究，能独立开展科研工作，有良好的思想品德，具有团队合作和敬业精神，作为第一作者在SCI/EI或本领域核心期刊上发表过高水平学术论文者优先

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2027届-XMC-硅光电子器件与PDK开发工程师(J11632)