Ingénieure ou ingénieur de recherche et développement en Photonique - CDD de 6 mois

Qui sommes-nous ?

Télécom Paris, école de l’IMT (Institut Mines-Télécom) et membre fondateur de l’Institut Polytechnique de Paris, est une grande école du top 5 des écoles d’ingénieurs généralistes françaises.

La Raison d’Être de Télécom Paris est de former, imaginer et entreprendre pour concevoir des modèles, des technologies et des solutions numériques au service d’une société et d’une économie respectueuses de l’humain et de son environnement.

Nous recherchons notre futur(e) Ingénieure ou ingénieur de recherche et développement en Photonique pour rejoindre le département Communications et Electronique (COMELEC).

La photodétection dans le moyen infrarouge (2-5 µm) est faite avec des matériaux comme le InSb ou InAs qui ne sont pas compatibles avec la filière silicium (CMOS) et requièrent de ce fait des stratégies sophistiquées d’hybridation avec des circuits de lecture en silicium, par exemple avec des billes d’indium. Le SiGeSn est un matériau compatible de la filière silicium, abondant et non toxique, qui pourrait constituer une rupture technologique dans le domaine. Plusieurs démonstrations ont été faites en optoélectronique sur des sources lasers et des détecteurs, le défi principal reposant sur la longueur d’onde de coupure du matériau. Cette dernière peut être augmentée avec une proportion d’étain plus forte dans l’alliage, mais également avec les contraintes imposées au matériau. Au sein des équipes participant au projet, nous avons développé des technologies de report GeSn sur isolant et sur miroir, permettant de contrôler la longueur d’onde de coupure et d’étendre la photodétection jusqu’à 4 à 5 µm. Dans ce contexte, le projet a pour objectif de développer des photodétecteurs infrarouge à base de la technologie GeSn en utilisant des hétérostructures quantiques intégrées dans des architectures nanophotonique. Le/la candidat(e) sera en charge de la modélisation électromagnétique du dispositif et de tester plusieurs architectures nanophotoniques pour optimiser l’absorption dans les couches actives. Il/elle sera ensuite en charge de la fabrication en salle blanche en partenariat avec le C2N, puis de leurs caractérisations à la fois structurelles et optiques et électo-optiques. Il sera également amené à faire évoluer les bancs de caractérisation pour les mesures de photoréponse. Nous explorerons aussi la possibilité de combiner la fonction de détection avec une fonction mémoire colocalisée sur le dispositif avec un transistor à effet de champ. Ce travail s'inscrit dans une double logique de recherche fondamentale et appliquée.

Vos principales missions seront

• Assurer des missions de recherche dans le domaine de la photonique silicium
• Participer à la notoriété de l’Ecole et de l’Institut Mines-Télécom
• Participer au montage de travaux pratiques et travaux dirigés